3.5 Δίοδος σότκυ (Schottky)
Εκτός από διόδους που σχηματίζονται με επαφή δύο ημιαγωγών, υπάρχουν και δίοδοι με επαφή μετάλλου και ημιαγωγού τύπου Ν. Τα μέταλλα συμπεριφέρονται ηλεκτρονικά σαν τον ημιαγωγό τύπου Ρ. Η δίοδος αυτή καλείται δίοδος σότκυ (Schottky) από τον ομώνυμο ερευνητή. Η δίοδος Schottky παρουσιάζει χαρακτηριστικά παραπλήσια με μια απλή δίοδο ΡΝ , αλλά έχει αρκετά πλεονεκτήματα.
Σε αντίθεση με την δίοδο ΡΝ, όταν πολώνεται κατά την ορθή φορά, οι φορείς πλειονότητας του ημιαγωγού τύπου Ν, που είναι τα ηλεκτρόνια, εισέρχονται στο μέταλλο και ενώνονται με τα ελεύθερα ηλεκτρόνια του μετάλλου. Με τον τρόπο αυτό δεν υπάρχει συσσώρευση φορτίων όπως συμβαίνει στην περιοχή απογύμνωσης μιας διόδου ΡΝ. Επομένως ο χρόνος ζωής των ηλεκτρονίων, μέχρι την επανασύνδεση τους με τις οπές, είναι ελάχιστος σε αντίθεση με την δίοδο ΡΝ .
Όταν μια δίοδος ΡΝ αλλάξει πολικότητα από ορθή σε ανάστροφη, το ανάστροφο ρεύμα, στιγμιαία είναι ίσο με το ρεύμα ορθής φοράς. Μετά όμως από ορισμένο χρόνο, που καλείται χρόνος αποκατάστασης trr, το ανάστροφο ρεύμα γίνεται πολύ μικρό. Η δίοδος Schottky είναι μία δίοδος με πάρα πολύ μικρό χρόνο αποκατάστασης (της τάξης nsec) λόγω της μη συσσώρευσης φορτίων.
Η δίοδος Schottky, για τους ανωτέρω λόγους, χρησιμοποιείται στα ψηφιακά κυκλώματα όπου απαιτείται γρήγορη μετάβαση από την αγωγιμότητα (ορθή πόλωση) στην αποκοπή (ανάστροφη πόλωση) και σε διακοπτόμενα τροφοδοτικά (παλμοτροφοδοτικά) για τους ίδιους λόγους. Επίσης χρησιμοποιείται σε εφαρμογές χαμηλής τάσης, γιατί η επαφή μετάλλου - ημιαγωγού παρουσιάζει μικρότερο φραγμό δυναμικού (0,3V ) από την επαφή ΡΝ ( 0,7 V ) ( Low power Schottky TTL).
To σύμβολο της διόδου Schottky μοιάζει με το σύμβολο της διόδου ΡΝ αλλά έχει στο μέρος της καθόδου το γράμμα S (σχήμα 3.5.1): Η δίοδος Schottky είχε ανακαλυφθεί από τη δεκαετία του '50 αλλά μόνο γύρω στα 1970, με την ανάπτυξη των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων άρχισε να κατασκευάζεται και να χρησιμοποιείται ευρέως.
