σελ 120-130
4.6 MOSFET
Το MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor FET) είναι και αυτή μια διάταξη η οποία έχει πηγή, πύλη και απαγωγό. Σε αντίθεση όμως με το JFET, η πύλη είναι ηλεκτρικά μονωμένη ως προς το κανάλι με αποτέλεσμα το ρεύμα πύλης να είναι πάρα πολύ μικρό, ανεξάρτητα απο τη φορά της τάσης που εφαρμόζεται μεταξύ πύλης και πηγής. Ως μονωτικό, χρησιμοποιείται ένα πολύ λεπτό στρώμα διοξειδίου του πυριτίου, το οποίο παρεμβάλλεται μεταξύ της μεταλλικής πύλης και του ημιαγωγού. Η σειρά διαδοχής των στρωμάτων καθορίζει και το όνομα της διάταξης.
Σχήμα 4.6.1 Δομή ΜΟΞΓΕΤ τύπου αραίωσης
Το MOSFET καλείται και IGFET (Insulated Gate FET), επειδή η πυλη είναι μονωμένη. Σ' ένα MOSFET ο τυπος του καναλιου καθορίζεται από το είδος των φορτίων, ηλεκτρόνια η οπές, τα οποία μεταφέρουν το ρευμα από την πηγή στον απαγωγό. Επιπλέον τα MOSFET χωρίζονται σε δυο κατηγορίες: τα MOSFET τυπου αραίωσης (Depletion mode) και τα MOSFET τυπου πυκνωσης (Enhancement mode). ανάλογα με τον τρόπο λειτουργίας τους. O τρόπος κατασκευής των MOSFET αναφέρεται αλλου (Τεχνολογία Ηλεκτρονικών Διατάξεων) και απαιτεί ειδικά εργαστήρια, Εργαστήρια Μικροηλεκτρονικής.
4.6.1 MOSFET τύπου αραίωσης
Το MOSFET αραίωσης αποτελείται από ένα τμήμα ημιαγωγου τυπου Ν. Στα άκρα αυτου του τμήματος συνδέονται οι ακροδέκτες πηγής και απαγωγου (σχ. 4.6.1). Η εφαρμογή μιας τάσης μεταξυ πηγής και απαγωγου, όπου ο απαγωγός συνδέεται στο θετικό πόλο της πηγής, εξαναγκάζει τα ηλεκτρόνια σε ροή από την πηγή προς τον απαγωγό. Το MOSFET, αντίθετα με τα JFET, έχει μία μόνο περιοχή Ρ, η οποία ονομάζεται υπόστρωμα (substrate). Η περιοχή αυτή περιορίζει τη διατομή του καναλιου με αποτέλεσμα να παραμείνει ένα πολυ λεπτό στρώμα το οποίο επιτρέπει στα ελευθερα ηλεκτρόνια να κινουνται από την πηγή στον απαγωγό. Ένα πολυ λεπτό υμένιο διοξειδίου του πυριτίου αποτί- θεται στην αντίθετη πλευρά του καναλιου (σχ.4.6.1) και πάνω σε αυτό τοποθετείται η μεταλλική πυλη.
(α)
Σχήμα 4.6.2 MOSFET τυπου αραίωσης με (α) αρνητική τάση στην πυλη και (β) με θετική τάση στην πύλη
Στο σχήμα (4.6.2α) παρουσιάζεται ένα MOSFET τυπου αραίωσης στο οποίο έχει εφαρμοστεί μια αρνητική τάση στην πυλη. Η πηγή τάσης VDD υποχρεώνει τα ηλεκτρόνια να μετακινούνται από την πηγή στον απα- γωγό μέσα από το λεπτό κανάλι, το οποίο βρίσκεται μεταξυ της περιοχής Ρ και της πυλης. Η αρνητική τάση που εφαρμόζεται στην πυλη απωθεί τα ηλεκτρόνια του καναλιου, με αποτέλεσμα την ελάττωση της πυκνότητας τους και συνεπώς την ελάττωση του ρευματος απαγωγου. Αυτή η λειτουργία ονομάζεται λειτουργία αραίωσης (depletion mode). Όταν η τάση της πυλης γίνεται περισσότερο αρνητική ελαττώνεται το ρευμα του απαγωγου και όταν γίνει αρκετά αρνητική το ρευμα αυτό αποκόπτεται. Επειδή η πυλη είναι ηλεκτρικά μονωμένη ως προς το κανάλι, είναι δυνατή η εφαρμογή θετικής τάσης (σχ.4.6.2β).
Μια θετική τάση στην πυλη έχει ως αποτέλεσμα να προσελκυονται ηλεκτρόνια προς την πλευρά της πυλης και συνεπώς να αυξάνεται η πυκνότητα τους μέσα στο κανάλι. Αυτή η λειτουργία ονομάζεται λειτουργία πύκνωσης (enhancement mode). Έτσι, το κανάλι, αν και πρακτικά δεν αλλάζει διαστάσεις, γίνεται περισσότερο αγώγιμο με αποτέλεσμα να αυξηθεί το ρεύμα απαγωγού. Η δυνατότητα περαιτέρω αύξησης του ρεύματος απαγωγού με εφαρμογή θετικών τάσεων στην πύλη διαφοροποιεί τα MOSFET αραίωσης από τα JFET.
Το ρεύμα της πύλης είναι αμελητέο και στους δυο τρόπους λειτουργίας. Έτσι, και στις δυο περιπτώσεις, η αντίσταση εισόδου της πύλης είναι πολύ μεγάλη, από 1010 μέχρι 1014 Ωμ. Συμπληρωματικό στοιχείο ενός MOSFET N-καναλιού είναι το MOSFET P-καναλιού.
(α) Λπαγωγός (β) Λπαγωγός
Q Q
Πηγή Πηγή
Σχήμα 4.6.3 Κυκλωματικά σόμβολα ΜΟΞΕΕΤτόπου αραίωσης Ν-καναλιοό (α) με ακροδέκτη υποστρώματος, και (β) χωρίς ακροδέκτη υποστρώματος
Στο σχήμα (4.6.3α) δίδεται το κυκλωματικό σύμβολο ενός MOSFET τύπου αραίωσης. Η πύλη έχει τη μορφή οπϊισμού ενός πυκνωτή. Δεξιά απο την πύλη υπάρχει μια λεπτή γραμμή, η οποία παριστάνει το κανάλι. Το βέλος του υποστρώματος δείχνει προς το Ν-τύπου ημιαγωγό, οπότε η διάταξη αυτή είναι ένα MOSFET Ν-καναλιού. Στις περισσότερες περιπτώσεις ο κατασκευαστής συνδέει εσωτερικά το υπόστρωμα με την πηγή, οποτε έχουμε μια διάταξη τριών ακροδεκτών οπως στο σχήμα 4.6.3β.
O! χαρακτηριστικές απαγωγού ενός MOSFET Ν-καναλιού παρουσιάζονται στο σχήμα (4.6.4). Θα πρέπει να παρατηρήσει κανείς ότι οι καμπύλες που βρίσκονται στο άνω τμήμα των χαρακτηριστικών αντιστοιχούν σε θετικές τιμές της τάσης πύλης, όπου έχουμε λειτουργία
πύκνωσης (VGS > 0V). Η χαμηλότερη καμπύϊη για την οποία το ρεύμα απαγωγού είναι σχεδόν μηδέν αντιστοιχεί σε τάση πύλης ιση με την τάση αποκοπής (VGS = VGS(off)). Oι καμπύϊες για τις οποίες η τάση πύλης βρίσκεται μεταξύ της VGS(off) και του μηδέν αντιστοιχούν σε λειτουργία αραίωσης (VGS < 0 V).
Ιδιαίτερη προσοχή πρέπει να δοθεί στο γεγονός ότι στα MOSFET τύπου αραίωσης το IDSS δεν είναι πλέον το μέγιστο δυνατό ρεύμα. Όπως φαίνεται στο σχ.4.6.4, υπάρχουν χαρακτηριστικές οι οποίες αντιστοιχούν σε θετικές τιμές της VGS. Στη λειτουργία πύκνωσης το ρεύμα του απαγωγού είναι μεγαλύτερο του IDSS. Τα MOSFET τύπου αραίωσης χρησιμοποιούνται εύκολα, γιατί δεν απαιτούν οπωσδήποτε τάση πόλωσης. Από τη χαρακτηριστική διαγωγιμότητας ενός MOSFET τύπου αραίωσης, η οποία δίνεται στα τεχνικά φυλλάδια των κατασκευαστών, μπορούμε εύκολα να επιλέξουμε το σημείο λειτουργίας Q της διάταξης. Μια τέτοια περίπτωση μπορεί να αντιστοιχεί στις τιμές VGS = 0V και ID = IDSS, με αποτέλεσμα την απλούστευση του κυκλώματος πόλωσης.
Έχοντας όλα αυτά υπόψη, μπορούμε να πούμε ότι κάθε MOSFET το οποίο μπορεί να λειτουργήσει είτε με αραίωση είτε με πύκνωση ονομάζεται MOSFET τύπου αραίωσης.
Εφαρμογές MOSFET αραίωσης
Δα MOSFET τύπου αραίωσης χρησιμοποιούνται κυρίως στα αναλογικά ηλεκτρονικά. Οι ενισχυτές με MOSFET τύπου αραίωσης είναι παρόμοιοι με τους ενισχυτές με JFET και γι' αυτό το λόγο μπορεί να ακολουθηθεί η AC ανάλυση, η οποία χρησιμοποιείται στα JFET. Επιπλέον, επειδή έχουν στην είσοδο τους μονωμένη την πύλη, επιτυγχάνουν πολύ υψηλές αντιστάσεις εισόδου. Δέλος επειδή η αντίσταση του καναλιού μεταβάλλεται με την τάση της πύλης, βρίσκουν εφαρμογή σε κυκλώματα αυτομάτου ελέγχου απολαβής (AGC). Επειδή εμφανίζουν μη μηδενικό ρεύμα απαγωγού για μηδενική τάση πύλης ονομάζονται και MOSFET κανονικά σε κατάσταση ON (normally on MOSFET).
Παράδειγμα 4.6.1
Στο διπλανό κύκλωμα δίδεται ότι IDSS = 10mA και VGS(off) = -4 V. Ποια
είναι η τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής οταν η τάση πύλης είναι
μηδέν;
Λύση
Το MOSFET λειτουργεί ως πηγή ρεύματος με αποτέλεσμα αυτό να καθορίζει το ρεύμα που διαρρέει το κύκλωμα. Επιπλέον επειδή η τάση της πύλης είναι μηδέν, το ρεύμα απαγωγού θα είναι ίσο με IDSS , δηλαδή 10 mA. Έτσι η τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής θα είναι ίση με
VDS = 16 V - (10 mA) · (1 ΚΩ) = 16 V - 10 V = 6 V
Εδώ θα πρέπει να δοθεί ιδιαίτερη προσοχή. Για να ισχύει ο παραπάνω υπολογισμός πρέπει το MOSFET να λειτουργεί στην ενεργό περιοχή, δηλαδή η τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής (VDS) πρέπει να είναι μεγαλύτερη της τάσης συμπίεσης (VP).
Επειδή
Vp = - VcS<off) = 4 V < VDS = 6 V
ισχύει όντως ο παραπάνω υπολογισμός.
+
Παράδειγμα 4.6.2
Στο κύκλωμα του προηγουμένου παραδείγματος μεταβάλλουμε την αντίσταση από 1 ΚΩ σε 4,7 ΚΩ. Αν η τάση πύλης είναι μηδέν ποία θα είναι η τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής;
Λύση
Ας υποθέσουμε ότι το MOSFET λειτουργεί ως πηγή ρεύματος. Επειδή για VCS = 0 V το ρεύμα απαγωγού είναι 10 mA , συνεπάγεται ότι η τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής θα είναι:
VDS = 16 V - (10 mA) · (4,7 ΚΩ) = 16 V - 47 V = -31 V
Αυτό όμως είναι αδύνατο, επειδή η τάση απαγωγού δεν μπορεί να είναι αρνητική. Γι' αυτό το λόγο πρέπει να ακολουθηθεί διαφορετική πορεία. O παραπάνω υπολογισμός δείχνει ξεκάθαρα ότι το MOSFET
δεν λειτουργεί στην ενεργό περιοχή αλλά στην ωμική περιοχή. Έτσι
υπολογίζουμε την αντίσταση του MOSFET για το συνεχές :
VP 4V
VDS = 16 V=-400χ 16V= 0,0784x16 V = 1,255V
DS 4700 Ω + 400 Ω 5100
Rds = 400Ω DS IDss 10mA
Στην ωμική περιοχή το MOSFET λειτουργεί ως αντίσταση, η οποία
συνδέεται σε σειρά με την αντίσταση των 4.7 ΚΩ και δημιουργεί ένα
διαιρέτη τάσης. Χρησιμοποιώντας το γνωστό τύπο του διαιρέτη
τάσης υπολογίζουμε την τάση μεταξύ απαγωγού και πηγής.
4.6.2 MOSFET τύπου πύκνωσης
Ένας άλλος τύπος MOSFET, ο οποίος εφαρμόζεται κατά κύριο λόγο στα ψηφιακά κύκλώματα, είναι το MOSFET τύπου πύκνωσης (enhancement mode MOSFET). Αυτό το MOSFET λειτουργεί αποκλειστικά με πύκνωση και επιτρέπει την ταυτόχρονη ολοκλήρωση στο ίδιο τσιπ, διατάξεων N-καναλιού και Ρ-καναλιού με αποτέλεσμα τη δημιουργία συστημάτων συμπληρωματικών στοιχείων και συνεπώς των κυκλωμάτων CMOS (Complementary MOS). Πρέπει να επισημανθεί ότι η ανάπτυξη της μικροηλεκτρονικής στον τομέα των ψηφιακών κυκλωμάτων, και ειδικότερα των μικροεπεξεργαστών, οι οποίοι περιέχουν περισσότερο από ένα εκατομμύριο MOSFET σε κάθε ψηφίδα, οφείλεται στα MOSFET τύπου πύκνωσης. Επιπλέον, MOSFET τύπου πύκνωσης χρησιμοποιούνται και σε εφαρμογές ισχύος με διάφορες ονομασίες όπως V-MOSFET (Siliconix, Temic), T-MOSFET (Motorola), HEXFET (IRF), κλπ., ανάλογα με τη βελτιστοποιημένη δομή, την οποία έχουν επιτύχει διάφοροι κατασκευαστές τους.
Η δομή των MOSFET τύπου πύκνωσης διαφέρει από αυτή των MOSFET τύπου αραίωσης. Σε αυτά το υπόστρωμα εκτείνεται μέχρι την επίστρωση του οξειδίου (βλέπε σχήμα 4.6.5α) με αποτέλεσμα να μην
υπάρχει κανάλι μεταξύ πηγής και απαγωγού αλλά μονο μια δομή η οποία μοιάζει με δυο διόδους συνδεδεμένες αντίθετα μεταξύ τους.
(θ) Ο Λπαγωγός
Πύλη
Σχήμα 4.6.5 Δομή MOSFET τύπου πύκνωσης (α) δομή και (β) κανονική πόλωση
Για να γίνει κατανοητή η λειτουργία ενός MOSFET τύπου πύκνωσης θα πρέπει κατ' αρχήν να εφαρμοστούν οι κανονικής πολικότητας πολώσεις της πύλης και του απαγωγού (βλέπε σχήμα 4.6.5.β). Αρχικά θεωρούμε ότι η τάση της πύλης είναι μηδέν, δηλαδή ότι έχουμε κατάσταση βραχυκυκλωμένης πύλης. Σ' αυτή την περίπτωση το ρεύμα δε μπορεί να διέλθει
απο την πηγή στον απαγωγό διότι αφενός το Ρ-τύπου υπόστρωμα έχει πάρα πολύ λίγα ελεύθερα ηλεκτρόνια και αφετέρου η δίοδος υποστρώματος - απαγωγού είναι ανάστροφα πολωμένη. Έτσι στην κατάσταση βραχυκυκλωμένης πύλης το ρεύμα του απαγωγού είναι αμελητέο.
VGS3>0
VGS(th)
VGS(on) VG
Σχήμα 4.6.6 (α) Χαρακτηριστικές καμπύλες απαγωγού και
(β) διαγωγιμότητας ενός MOSFET τύπου πύκνωσης
Για να υπάρξει ρεύμα απαγωγού πρέπει να υπάρξουν ηλεκτρόνια στο υπόστρωμα, δηλαδή το υπόστρωμα να μετατραπεί - εστω τοπικά - σε Ν-τύπου ώστε να μην υπάρχουν οι δίοδοι υποστρώματος - πηγής και υποστρώματος - απαγωγου. Αυτό επιτυγχάνεται χάρις στο γεγονός ότι η πύλη σχηματίζει ένα πυκνωτή με το υπόστρωμα. Έτσι, αν εφαρμοστεί μια αρκετά "υψηλή" θετική τάση στην πύλη τότε ο οπλισμός της πύλης, του πυκνωτή πύλης - υποστρώματος, φορτίζεται θετικά. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα να συσσωρευτεί αρνητικό φορτίο, δηλαδή ηλεκτρόνια στο υπόστρωμα. Το φορτίο αυτό συσσωρεύεται στην περιοχή του υποστρώματος, η οποία βρίσκεται ακριβώς κάτω από το λεπτό στρώμα του οξειδίου της πύλης καλύπτοντας όλη τη διαδρομή από την πηγή μέχρι τον απαγωγό. Έτσι δημιουργείται, τοπικά, ένα πολύ λεπτό στρώμα στο οποίο η σύγκέντρωση των ηλεκτρονίων είναι μεγαλυτερη από εκείνη των οπών. Το στρώμα αυτό συμπεριφέρεται ως τύπου-N και η παρουσία του αποκαθιστά την αγωγιμότητα και συνεπώς το ηλεκτρικό ρευμα, μεταξύ πηγής και απαγωγού. Αν, στη συνέχεια, αυξηθεί η θετική τάση της πύλης, θα αυξηθεί και η πυκνώτητα των ηλεκτρονίων στο υπόστρωμα. Αυτό θα έχει ως αποτέλεσμα την αύξηση του ρεύματος απαγωγού (βλέπε σχήμα 4.6.6). Επειδή το κανάλι είναι N-τύπου, η διάταξη θα είναι MOSFET πύκνωσης Ν-καναλιού (n-channel enhancement mode MOSFET).
Το υπόστρωμα είναι Ρ-τύπου και με την παρουσία του ισχυρού ηλεκ-
τρικού πεδίου ένα λεπτό στρώμα αυτού, το οποίο εφάπτεται του στρώματος διοξειδίου του πυριτίου, μετατρέπεται σε N-τύπου. Αυτό το λεπτό στρώμα, το οποίο αλλάζει τύπο αγωγιμότητας, ονομάζεται στρώμα αναστροφής N-τύπου (inversion layer).
(α)
Πύλη
Απαγωγός
Σχήμα 4.6.7 Σύμβολα MOSFET τύπου πύκνωσης (α) N-καναλιού και (β) Ρ-καναλιού
Η ελάχιστη τάση πύλης-πηγής, η οποία προκαλεί την εμφάνιση του στρώματος αναστροφής N-τύπου ονομάζεται τάση κατωφλίου
(threshold voltage) και σημειώνεται με VGS(th). Έτσι, όταν η τάση της πύλης είναι μικρότερη από την τάση κατωφλίου το MOSFET είναι ανοικτό. Αντίθετα, όταν η τάση της πύλης είναι μεγαλύτερη από την τάση κατωφλίου, το MOSFET άγει.
Στο σχήμα 4.6.6α παρουσιάζονται οι χαρακτηριστικές ρεύματος απαγωγού συναρτήσει της τάσης απαγωγού-πηγης για διάφορες τιμές της τάσης πύλης. Η χαμηλότερα ευρισκόμενη καμπύλη αντιστοιχεί σε τάση πύλης ίση με την τάση κατωφλίου (VGS(th). Έτσι όταν η τάση πύλης είναι μικρότερη της τάσης κατωφλίου το ρεύμα απαγωγού είναι σχεδόν μηδέν. Αντίθετα, όταν η τάση πύλης είναι μεγαλύτερη από την τάση κατωφλίου το MOSFET άγει και το ρεύμα απαγωγού καθορίζεται από την τάση πύλης. Στις χαρακτηριστικές του σχήματος (4.6.6.α) παρατηρούμε μια συμπεριφορά αντίστοιχη με αυτή των MOSFET αραίωσης, δηλαδή
μια περιοχή οπου το ρεύμα αυξάνει αποτομα (ωμική περιοχή) και μια
περιοχή οπου το ρεύμα παραμένει σχεδόν σταθερό (ενεργός περιοχή ή περιοχή πηγής ρεύματος). Σε αυτό το σημείο πρέπει να προσέξουμε το ότι στα MOSFET πύκνωσης δεν υπάρχει τάση συμπίεσης, αφου σ' αυτά δεν υπάρχουν περιοχές φορτίου χώρου, οι οποίες να ενώνονται, αλλά περιοχή αναστροφής. Γι' αυτό το λόγο χρησιμοποιείται διαφορετικό σύμβολο, το VIK, για την τάση απαγωγού που χωρίζει την ωμική από την ενεργό περιοχή. Η τάση αυτή υπολογίζεται από τη σχέση
Στο σχήμα (4.6.6β) παρουσιάζεται η χαρακτηριστική διαγωγιμότητας, η οποία και στην περίπτωση των MOSFET πυκνωσης αποτελεί μέρος μιας παραβολής. Η παραβολή αρχίζει, όπως αναμένεται από τα παραπάνω, από το σημείο VGS(th). Εδώ πρέπει να δοθεί ιδιαίτερη προσοχή στο ότι στα MOSFET πύκνωσης δεν υπάρχει IDSS. Αντί αυτού οι κατασκευαστές δίνουν στους πίνακές κάθε διάταξης το ρεύμα απαγωγού ID(on) για δεδομένη VGS(on) για κάποιο σημείο, το οποίο βρίσκεται αρκετά υψηλότερα από την τάση κατωφλίου. Έτσι, στα MOSFET πύκνωσης οι παράμετροι IDSS και VGS(th) των MOSFET αραίωσης αντικαθιστώνται με τις
παΡαμέτΡους ^(onK VGS(on) και VGS(th).
Στην κατάσταση βραχυκυκλωμένης πυλης το MOSFET τύπου πύκνωσης βρίσκεται σε κατάσταση off, επειδή δεν υπάρχει κανάλι μεταξύ πηγής και απαγωγού. Αυτό έχει ως αποτέλεσμα στο κυκλωματικό συμβολο
το κανάλι να δηλώνεται με μια διακεκομμένη γραμμή και, κατ« αυτό τον τρόπο, να διαφέρει από εκείνο του MOSFET αραίωσης (σχήμα 4.6.7). Στο σχήμα 4.6.7 δίδεται και το κυκλωματικό σύμβολο ενός MOSFET πύκνωσης Ρ-καναλιού. Σ' αυτή την περίπτωση το υπόστρωμα είναι N-τύ- που, η τάση κατωφλίου αρνητική και το ρεύμα απαγωγού ρέει σε αντίθετη κατεύθυνση από αυτή του MOSFET N-καναλιου.
Σε κάθε τύπο MOSFET, αραίωσης < πύκνωσης, παρεμβάλλεται μεταξύ της πύλης και του καναλιού ένα λεπτό στρώμα διοξειδίου του πυριτίου. Από το πάχος του στρώματος του διοξειδίου του πυριτίου και τη διηλεκτρική αντοχή του υλικού (107 V/cm) συνεπάγεται ότι η τάση που εφαρμόζεται στην πυλη μπορεί να κυμαίνεται σε κάποια όρια, τα οποία αν ξεπεραστούν το MOSFET καταστρέφεται. Τα όρια τάσης πύλης καθορίζονται με το VGS(max) και στην περίπτωση του VN10 είναι VG^ = ± 40 V.
Το μονωτικό στρώμα του διοξειδίου του πυριτίου της πύλης μπορεί να καταστραφεί και από άλλους λιγότερο προφανείς λόγους, εκτός από την επιβολή υψηλής τάσης. Η τοποθέτηση ή η απομάκρυνση του MOSFET από ένα κυκλωμα, το οποίο ήδη τροφοδοτείται, μπορεί να οδηγήσει στην ανάπτυξη μεταβατικών τάσεων υψηλότερων από τη VGS(max). Επίσης τα ηλεκτροστατικά φορτία που εναποτίθενται στην πύλη ενός MOSFET όταν το πιάσουμε, μπορουν να αναπτύξουν τάσεις που υπερβαίνουν τη VGS(max). Γι' αυτό τον λόγο τα MOSFET προστατευονται με αγώγιμο δακτυλίδι, το οποίο απομακρύνεται μετά την τοποθέτηση τους ή μεταφέρονται σε αγώγιμο σάκο και τοποθετούνται από τεχνικούς, οι
οποίοι πατούν σε γειωμένο αγώγιμο δάπεδο ή φέρουν αγώγιμο βραχιόλι το οποίο είναι επίσης γειωμένο.
