Skip navigation
Να αναφέρεται τουλάχιστον 2 βασικές διαφορές μεταξύ των μνημών RAM και ROM.
1. Οι μνήμες RAM διατηρούν τα δεδομένα τους μόνο όση ώρα τροφοδοτούνται, ενώ οι μνήμες ROM διατηρούν τα δεδομένα τους και χωρίς τροφοδοσία.
2. Οι μνήμες ROM είναι μόνο για ανάγνωση, ενώ στις μνήμες RAM μπορούμε να γράψουμε και να διαβάσουμε δεδομένα.
Πρόσθετες διαφορές: οι μνήμες RAM είναι μικρότερες σε φυσικό μέγεθος, μεγαλύτερες σε χωρητικότητα, φθηνότερες και ταχύτερες από τις μνήμες ROM.
Μια μνήμη RAM 512x8:
- έχει Συμπλήρωση κενών (1): JXUwMDZkJXUwMDA0JXUwMDAz διευθύνσεις μνήμης
- σε κάθε διεύθυνση μπορούν να αποθηκευτούν λέξεις μήκους Συμπλήρωση κενών (2): JXUwMDYw bit
- μπορεί να αποθηκεύσει συνολικά Συμπλήρωση κενών (3): JXUwMDZjJXUwMDA0JXUwMDA5JXUwMDBm bit
- ο δίαυλος διεύθυνσης έχει Συμπλήρωση κενών (4): JXUwMDYx γραμμές
- ο δίαυλος δεδομένων έχει Συμπλήρωση κενών (5): JXUwMDYw γραμμές
Enable JavaScript
Μια μνήμη RAM 32Κx16:
- έχει Συμπλήρωση κενών (1): JXUwMDZiJXUwMDAxJXUwMDA1JXUwMDAxJXUwMDBl διευθύνσεις μνήμης
- σε κάθε διεύθυνση μπορούν να αποθηκευτούν λέξεις μήκους Συμπλήρωση κενών (2): JXUwMDY5JXUwMDA3 bit
- μπορεί να αποθηκεύσει συνολικά Συμπλήρωση κενών (3): JXUwMDZkJXUwMDA3JXUwMDA2JXUwMDA2JXUwMDBhJXUwMDAw bit
- ο δίαυλος διεύθυνσης έχει Συμπλήρωση κενών (4): JXUwMDY5JXUwMDA0 γραμμές
- ο δίαυλος δεδομένων έχει Συμπλήρωση κενών (5): JXUwMDY5JXUwMDA3 γραμμές
Για να πραγματοποιήσουμε εγγραφή δεδομένων σε μια διεύθυνση μνήμης θα πρέπει να κάνουμε τα εξής:
Για την ανάγνωση των δεδομένων από μια διεύθυνση μνήμης θα πρέπει να κάνουμε τα εξής:
Μια λέξη δεδομένων αποθηκεύεται σε μια μνήμη στη διεύθυνση (FB16)16. Προκειμένου να διαβάσουμε τα δεδομένα αυτής της διεύθυνσης, θα πρέπει στις γραμμές διεύθυνσης να δώσουμε τα εξής:
A15= Συμπλήρωση κενών (1): JXUwMDY5 , A14= Συμπλήρωση κενών (2): JXUwMDY5 , A13= Συμπλήρωση κενών (3): JXUwMDY5 , A12= Συμπλήρωση κενών (4): JXUwMDY5 , A11= Συμπλήρωση κενών (5): JXUwMDY5 , A10= Συμπλήρωση κενών (6): JXUwMDY4 , A9= Συμπλήρωση κενών (7): JXUwMDY5 , A8= Συμπλήρωση κενών (8): JXUwMDY5 , A7= Συμπλήρωση κενών (9): JXUwMDY4 , A6= Συμπλήρωση κενών (10): JXUwMDY4 , A5= Συμπλήρωση κενών (11): JXUwMDY4 , A4= Συμπλήρωση κενών (12): JXUwMDY5 , A3= Συμπλήρωση κενών (13): JXUwMDY4 , A2= Συμπλήρωση κενών (14): JXUwMDY5 , A1= Συμπλήρωση κενών (15): JXUwMDY5 , A0= Συμπλήρωση κενών (16): JXUwMDY4
(FB16)16 = (1111 1011 0001 0110)2
Ποιες είναι οι βασικές διαφορές μεταξύ των στατικών μνημών SRAM και των δυναμικών μνημών DRAM;
Στις μνήμες SRAM το βασικό κύτταρο της μνήμης βασίζεται σε ένα flip-flop το οποίο αποθηκεύει την δυαδική πληροφορία και είναι πιο γρήγορες από τις μνήμες DRAM.
Στις μνήμες DRAM το βασικό κύτταρο της μνήμης βασίζεται σε ένα πυκνωτή που αποθηκεύει την δυαδική πληροφορία σαν φορτίο. Επειδή το φορτίο αυτό με την πάροδο του χρόνου ελαττώνεται, χρειάζεται μια περιοδική επαναφόρτιση. Πλεονεκτούν έναντι των SRAM στο ότι προσφέρουν μεγαλύτερη χωρητικότητα (στις ίδιες διαστάσεις) και μικρότερη κατανάλωση ισχύος.
(c) Αμπατζόγλου Γιάννης, Ηλεκτρονικός Μηχανικός, καθηγητής ΠΕ1708
